- 1. 电源设计最常用10个公式解析 2024-04-10
- AQ为磁芯窗口面积，单位为cm2；Ae为磁芯的有效截面积，单位为cm2；Po是变压器的标称输出功率，单位为W；fs为开关管的开关频率；Bm为磁芯最大磁感应强度，单位为T；δ为线圈导线的电流密度，通常取200～300A/cm2，η是变压器的转换效率；
- 2. P沟道功率MOSFETs及其应用 2024-04-03
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随着现代低压应用的发展，Littelfuse P沟道功率MOSFET满足了当今电力电子不断发展所需的通用功能。Littelfuse P沟道MOSFETs的广泛应用，为工业和汽车应用设计工程师提供了更简单、更可靠和优化的电路设计。为了实现特定应用的最佳性能，设计工程师需要在选择P沟道功率MOSFET时在RDS(on)和Qg之间做出权衡。 - 3. 栅极环路电感对SiC和IGBT功率模块开关特性的影响分析 2024-04-02
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IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感（DC−Link loop inductance）和栅极环路电感（Gate loop inductance）对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响，本文为第二部分，将主要讨论栅极环路电感影响分析。 - 4. 测试共源共栅氮化镓 FET 2024-04-01
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Cascode GaN FET 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场，因为它可以提供常关操作并具有更宽的栅极驱动电压范围。然而，电路设计人员发现该器件在实际电路中使用起来并不那么容易，因为它很容易发生振荡，并且其器件特性很难测量并获得可重复的提取。许多设计人员在电路中使用大栅极电阻时必须减慢器件的运行速度，这降低了使用快速 GaN 功率器件的优势。 - 5. 如何利用 GaN 功率器件实现出色的中等功率电机变频器 2024-03-29
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对更高效利用能源的推动、更严格的法规要求以及低温运行的技术优势，所有这些都为近来降低电机功耗的举措提供了支持。虽然硅 MOSFET 等开关技术已得到广泛应用，但它们往往无法满足关键变频器应用对性能和效率的更高要求。 - 6. 利用双MOSFET最大限度地提高开关转换器应用的功率密度和性能 2024-03-28
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工业和汽车开关转换器和电机驱动器都需要体积小、效率高、电气噪声低的金属氧化物硅场效应晶体管 (MOSFET)。双 MOSFET 方法有助于满足这些要求。 - 7. 微型隔离式直流／直流模块如何实现更高的功率密度 2024-03-27
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电池管理系统 (BMS) 的主要功能是监测电池包电压、电池包电流和电芯电压。为了符合安全标准，需要监测高压电池 (>60V) 漏电流以及总线和机箱接地之间的隔离电阻。隔离式直流/直流电源应用于 BMS 的高压和隔离诊断子系统中，为数字隔离器和电流传感器提供隔离式电源。 - 8. 如何测量功率回路中的杂散电感 2024-03-25
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影响IGBT和SiC MOSFET在系统中的动态特性有两个非常重要的参数：寄生电感和寄生电容。而本文主要介绍功率回路中寄生电感的定义和测试方法，包括直流母线电容的寄生电感，直流母排寄生电感以及模块本身的寄生电感。 - 9. 功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？ 2024-03-25
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在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。之前我们讨论过功率MOSFET的雪崩效应，今天，我们将继续分享相关UIS (UIL)数据表的额定值。 - 10. GaAs 二极管在高性能功率转换中的作用 2024-03-22
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高压硅二极管具有较低的正向传导压降，但由于其反向恢复行为，会在功率转换器中产生显着的动态损耗。SiC 二极管表现出可忽略不计的反向恢复行为，但确实表现出比硅更高的体电容和更大的正向传导压降。由于 GaAs 技术能够提供硅和 SiC 的有用特性，本文探讨了一项比较 10kW、100kHz 相移全桥 (PSFB) 性能的练习。
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