“如果栅极和源极之间的反向偏压进一步增加，耗尽层就会阻塞通道，电子流动停止。如上所示，施加在栅极和源极之间的电压控制着漏极和源极之间的状态。所以场效应晶体管是电压驱动的器件。
”
JFET的操作
JFET：结型场效应晶体管
（1）在N沟道结型场效应晶体管（图3-3（a））中，当在漏极和源极之间施加电压时，电子从源极流向漏极。
（2）当在栅极和源极之间施加反向偏压时，耗尽层扩大并抑制（1）中的电子流动。（使电子流动的路径变窄）
（3）如果栅极和源极之间的反向偏压进一步增加，耗尽层就会阻塞通道，电子流动停止。
如上所示，施加在栅极和源极之间的电压控制着漏极和源极之间的状态。所以场效应晶体管是电压驱动的器件。
图3-3（a）N沟道JFET的符号和操作
图3-3（b）P沟道JFET的符号和操作
注：电流方向与电子流动方向相反。耗尽层的拓宽机理与二极管相同。
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