- 1. 罗姆：先进的半导体功率元器件和模拟IC助力工业用能源设备节能 2024-05-17
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随着向无碳社会的推进以及能源的短缺，全球对可再生能源寄予厚望，对不断提高能源利用效率并改进逆变器技术（节能的关键）提出了更高要求。而功率元器件和模拟IC在很大程度上决定了逆变器的节能性能和效率。通过在适合的应用中使用功率元器件和模拟IC，可以进一步提高逆变器的功率转换效率，降低工业设备的功耗，从而实现节能。本文将为您介绍在新型逆变器中应用日益广泛的先进功率元器件和模拟IC的特性及特点。 - 2. 如何改善GaN HEMT 功率器件的短路耐受时间 2024-05-15
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SCWT 是一个关键指标，用于衡量设备能够承受 SC 事件的短时间。硅 IGBT 器件的 SCWT 额定值通常超过 10 s，而碳化硅 MOSFET 的额定值要低得多，约为 3-5 ?s。WBG 器件通常在较高的功率密度下运行，因此在 SC 条件下会表现出更陡峭的温升。 - 3. 提高低功率 AC／DC 转换的效率并减小尺寸 2024-05-09
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从快速充电器和旅行适配器到扬声器和智能家居助理的电源，各种应用都依赖于低功耗（低于 100 W）AC/DC 转换。选择电源转换架构时的一个基本点是其提供零电压开关 (ZVS) 的程度，因为这对效率、EMI 性能和可靠性具有重大影响。并非所有传统拓扑都能够实现 ZVS，而且目前还没有一种拓扑能够在轻负载下提供 ZVS。 - 4. 用于电池储能系统 (BESS) 的 DC－DC 功率转换拓扑结构 2024-05-09
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近年来，太阳能等可再生能源的应用显著增长。推动这一发展的因素包括政府的激励措施、技术进步以及系统成本降低。虽然光伏（PV）系统比以往任何时候都更加合理，但仍然存在一个主要障碍，即我们最需要能源时，太阳能并不产生能源。清晨，当人们和企业开始一天的工作时，对电网的需求会上升；晚上，当人们回到家中时，对电网的需求也会上升。 - 5. 电源设计最常用10个公式解析 2024-04-10
- AQ为磁芯窗口面积，单位为cm2；Ae为磁芯的有效截面积，单位为cm2；Po是变压器的标称输出功率，单位为W；fs为开关管的开关频率；Bm为磁芯最大磁感应强度，单位为T；δ为线圈导线的电流密度，通常取200～300A/cm2，η是变压器的转换效率；
- 6. P沟道功率MOSFETs及其应用 2024-04-03
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随着现代低压应用的发展，Littelfuse P沟道功率MOSFET满足了当今电力电子不断发展所需的通用功能。Littelfuse P沟道MOSFETs的广泛应用，为工业和汽车应用设计工程师提供了更简单、更可靠和优化的电路设计。为了实现特定应用的最佳性能，设计工程师需要在选择P沟道功率MOSFET时在RDS(on)和Qg之间做出权衡。 - 7. 栅极环路电感对SiC和IGBT功率模块开关特性的影响分析 2024-04-02
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IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感（DC−Link loop inductance）和栅极环路电感（Gate loop inductance）对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响，本文为第二部分，将主要讨论栅极环路电感影响分析。 - 8. 测试共源共栅氮化镓 FET 2024-04-01
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Cascode GaN FET 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场，因为它可以提供常关操作并具有更宽的栅极驱动电压范围。然而，电路设计人员发现该器件在实际电路中使用起来并不那么容易，因为它很容易发生振荡，并且其器件特性很难测量并获得可重复的提取。许多设计人员在电路中使用大栅极电阻时必须减慢器件的运行速度，这降低了使用快速 GaN 功率器件的优势。 - 9. 如何利用 GaN 功率器件实现出色的中等功率电机变频器 2024-03-29
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对更高效利用能源的推动、更严格的法规要求以及低温运行的技术优势，所有这些都为近来降低电机功耗的举措提供了支持。虽然硅 MOSFET 等开关技术已得到广泛应用，但它们往往无法满足关键变频器应用对性能和效率的更高要求。 - 10. 利用双MOSFET最大限度地提高开关转换器应用的功率密度和性能 2024-03-28
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工业和汽车开关转换器和电机驱动器都需要体积小、效率高、电气噪声低的金属氧化物硅场效应晶体管 (MOSFET)。双 MOSFET 方法有助于满足这些要求。
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