“先进封装中的结构的高度至少要在几微米到数百位米。只有电镀的镀速可以满足，1ASD的电流密度，铜的电镀速率为：0.2um/min。一般电流密度可以在1-15ASD范围内调节，因此镀速可以达到惊人的3um/min。这是一般的PVD，CVD所达不到的。
”先进封装里的常见结构？
| 结构名称 | 英文缩写 | 说明 | 应用场景 |
|---|---|---|---|
| 硅通孔 | TSV（Through-Silicon Via） | 在硅中开孔并填铜，垂直连接上下芯片 | 3D堆叠、HBM、高性能计算 |
| 玻璃通孔 | TGV（Through-Glass Via） | 类似TSV，但基材为玻璃 | 高频RF、SiP、载板替代 |
| 铜柱凸块 | Cu Pillar | 用于芯片与基板间的细pitch互连，电镀铜+Sn帽 | Flip Chip、FCBGA |
| 重布线层 | RDL（Redistribution Layer） | 重新布局芯片I/O，通常多层金属 | Fan-Out、InFO、2.5D封装 |
| 金凸块 | Au Bump | 用于金线焊接或TCB键合 | 高可靠性封装、光电芯片 |
| 微凸点 | µBump | 细pitch凸点（<30μm），实现die间连接 | 2.5D、3D-IC、HBM、Chiplet |
| 锡球 | solder ball | 用于焊接基板 | 几乎所有芯片产品封装都用得到 |
上表中结构基本是先进封装工艺的“灵魂”。为什么要用电镀而不用其他的金属化手段？
以上图为例，先进封装中的结构的高度至少要在几微米到数百位米。只有电镀的镀速可以满足，1ASD的电流密度，铜的电镀速率为：0.2um/min。一般电流密度可以在1-15ASD范围内调节，因此镀速可以达到惊人的3um/min。这是一般的PVD，CVD所达不到的。
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