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绝缘栅型场效应管的主要参数

关键词:绝缘栅型场效应管

时间:2024-08-06 10:35:55      来源:网络

有直流参数,包括开启电压、夹断电压、饱和漏极电流、输入电阻;交流参数,即低频跨导;极限参数,包括反向击穿电压和漏极功耗。

有直流参数,包括开启电压、夹断电压、饱和漏极电流、输入电阻;交流参数,即低频跨导;极限参数,包括反向击穿电压和漏极功耗。

1.开启电压Ur

Ur是增强型MOS管的主要参数,当栅源电压UGs小于开启电压的时,场效应管不能导通。如3C03型P沟道增强型MOS管的开启电压为—2~—4V,3D06A型N沟道增强型MOS管的开启电压为2.5~5V。

2.夹断电压UP

UP是耗尽型MOS管的主要参数,当漏源电压UDs值一定时,栅源电压UGs=UP时,漏极电流为零。如3D01D型N沟道耗尽型MOS管的夹断电压为—9V。

3.饱和漏极电流/oss

Ipss是MOS耗尽型和结型场效应管,在栅源电压UGs=0时,所对应的漏极电流。如3D02D型N沟道耗尽型MOS管的饱和漏极电流为1~25mA,3D03C型N沟道增强型MOS管的饱和漏极电流为2~8mA。

4.直流输入电阻RGs

直流输入电阻RGs是栅源极之间的等效电阻。由于MOS管栅源极间有SiO2绝缘层,所以MOS场效应管的RGs可达109~1015Ω。

5.低频跨导gm

跨导gm反映了棚源电压Us对漏极电流b的控制作用(相当于普通晶体管的hFE),单位是mS(毫西)。如3D02D型N沟道耗尽型MOS管的低频跨导>4000mS,3D03C型N沟道增强型MOS管的低频跨导≤1000mS。

6.漏极功耗PDM

漏极功耗PDM=UDsxID,相当于普通三极管的PcM。如3D02D型N沟道耗尽型MO管的漏极功耗为100mW,3D03C型N沟道增强型MOS管的漏极功耗为150mW。

7.极限漏极电流

极限漏极电流Ip是漏极能够输出的电流,相当于普通三极管的Ic,其值与温度有通常手册上标注的是温度为25℃时的值。一般指的是连续工作电流,若为瞬时工作电则标注为IDM,这个值通常大于ID。

8.漏源电压Uoss

漏源电压Uoss是场效应管漏源极之间可以承受的电压(相当于普通晶体管的反向工作电压UcEo),有时也用UDs表示。如3D02D型N沟道耗尽型MOS管的电压为25V,3D03C型N沟道增强型MOS管的漏源电压为150V。

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