运用双MOSFET避免SEU的影响

很久很久以前，在一个遥远的星系中，有某个东西突然间爆炸了。其造成的结果是亚原子物质的爆发，而其中的一些物质最终在我们这里找到了出路。

这种情况经常重复出现，而且仍有更多的亚原子物质正朝着这个方向发展。当它们到达时，它们会非常地分散，以至于可以单独地检测到在它们之中的任何一个。遗憾的是，进行这种检测的对象是您巧妙设计到产品中的半导体时，造成的结果被称为“单粒子翻转”(single event upset，SEU)，在某些情况下，它可能造成相当大的破坏。如果您的产品处于地球轨道或在太空中的其他地方快速移动，这一点尤其值得关注。

以使用MOSFET的推挽式逆变器为例。如果“off”侧MOSFET在本不应该开启的时候被错误地开启，其结果可能会导致驱动轨电压对接地近乎短路。类似这样的事件可能是灾难性的。

这张草图显示的就是这样的一种逆变器，但它具有保护功能，能够避免因单粒子翻转而造成的灾难。

图1：每个标示的“X”表示MOSFET正经历一次单粒子翻转。

无论哪一个MOSFET因单粒子翻转而导通，其余三个开关位置都将保持开关状态，直到受到冲击的MOSFET开关位置恢复正常。

在此电路中，单粒子翻转将会暂时干扰变压器驱动平衡，但并不至于对+Vcc轨造成潜在的灾难性下拉，因为受影响的MOSFET的配套MOSFET可以维持预期的开关状态。