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解析直流偏压现象

关键词:直流偏压 MLCC 多层陶瓷电容器

时间:2023-05-05 10:55:41      来源:Knowles楼氏电容微信公众号

在构建多层陶瓷电容器(MLCC)时,电气工程师们通常会根据应用选择两类电介质——1类,非铁电材料介质,如C0G/NP0;2类,铁电材料介质,如X5R和X7R。它们之间的关键区别在于,随着电压和温度的提升,电容是否还具备良好的稳定性。

在构建多层陶瓷电容器(MLCC)时,电气工程师们通常会根据应用选择两类电介质——1类,非铁电材料介质,如C0G/NP0;2类,铁电材料介质,如X5R和X7R。它们之间的关键区别在于,随着电压和温度的提升,电容是否还具备良好的稳定性。对于1类电介质,当施加直流电压、工作温度上升时,容值保持稳定;2类电介质具有较高的介电常数(K),但在温度、电压、频率变化的情况下以及随着时间的推移,容值不太稳定。

虽然可以通过各类设计变更来提高容值,例如改变电极层的表面积、层数、K值或两个电极层之间的距离,但当施加直流电压时,2类电介质的容值最终仍会急剧下降。这是由于一种叫做直流偏压现象的存在,导致2类铁电配方在施加直流电压时最终会出现介电常数的下降。

对于较高K值的介质材料,直流偏压的影响可能更严重,电容器有可能损失高达90%甚至更多的容值,如图1所示。


图1. X7R电容的电压变化曲线

材料的介电强度,即一定厚度的材料所能承受的电压,也能改变直流偏压对电容器的影响。在美国,介电强度通常以伏特/密耳为单位(1密耳等于0.001英寸),在其他地方则以伏特/微米为单位,它由电介质层的厚度决定。因此,具有相同容值和额定电压的不同电容器由于各自不同的内部结构,其性能表现可能存在较大差异。

值得注意的是,当施加的电压大于材料的介电强度时,火花将穿过材料,导致潜在的点火或小规模的爆炸风险。

直流偏压如何产生的实际案例

如果把工作电压导致的容值变化与温度变化结合起来考虑,那么我们会发现在特定应用温度和直流电压下,电容的容值损失会更大。以某X7R材质的MLCC为例,其容值为0.1μF,额定电压为200VDC,内部层数为35,厚度为1.8密耳(0.0018英寸或45.72微米),这意味着在200VDC下工作时,电介质层只经历111伏/密耳或4.4伏/微米。粗略计算,VC将为-15%。如果电介质的温度系数为±15%ΔC,VC为-15%ΔC,那么最大的TVC为+15%-30%ΔC。

造成这种变化的原因在于所使用的2类材料的晶体结构——在该案例中为钛酸钡(BaTiO3)。该材料在达到居里温度或以上时,具有立方体的晶体结构。然而,当温度恢复到环境温度时,由于温度降低使材料的结构发生变化,就会发生极化。极化的发生不需要任何外部电场或压力,这被称为自发极化或铁电性。当在环境温度下对材料施加直流电压时,自发极化与直流电压的电场方向相连,并发生自发极化的逆转,从而导致容值减少。

如今,即使有了各式各样的设计工具来提高容值,但由于直流偏压现象的存在,当施加直流电压时,2类电介质的容值仍会大幅度地降低。因此,为了确保应用的长期可靠性,您选择MLCC时,除了需要考虑MLCC的额定容值,还需将直流偏压对元件的影响纳入考量。

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