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LED测试不当,会发生电应力损伤:你知道这是什么原因吗?

关键词:LED测试 驱动芯片

时间:2022-08-11 13:33:11      来源:DigiKey

大多数LED可在正向偏压下发光,且通常不会在反向偏压下工作。LED由一个P-N结组成,如果高压浪涌以相反的方向通过器件,该P-N结可能会因电流过大而被破坏。

问:LED测试时出现电应力损伤的类型和原因

有时LED可能在测试过程中损坏,而工程师却没有注意到这种情况。在测试时须特别注意不要让LED过载。

浅谈驱动芯片的绝缘安规标准

测试工程师还应注意测试过程中的电应力损伤(即电气过载)。这主要有以下三种情况:

1. 电气过载( EOS ):

EOS威胁主要归咎于处理不当和/或测试夹具设计问题;

附近雷击和设备切换造成的浪涌,会在电力和数据线路上产生严重的瞬变能量。

2. 静电放电( ESD ):

• 接触ESD敏感(ESDS)物品的带电物体(包括人);

• 一个带电的ESDS器件以不同的电位接触地面或另一导电物体;

• ESDS器件在暴露于静电场时接地。

LED厂商推荐了关于预防和管理ESD/EOS威胁的指南。IEC 61340-5和ANSI/ESD S20.20标准提供了在系统中组装LED组件时防止EOS和ESD损坏的相关指南。

3. 方向极化:

大多数LED可在正向偏压下发光,且通常不会在反向偏压下工作。LED由一个P-N结组成,如果高压浪涌以相反的方向通过器件,该P-N结可能会因电流过大而被破坏。

LED厂商通常建议在安装LED之前先使用齐纳二极管来进行系统测试。

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