“如果是D-MOS的情况，电场强度在P／N层接口处最强。当电场强度超过硅的极限时，会发生击穿现象，这就是电压极限。另一方面，如果是SJ-MOS的情况，电场强度在N层中是均匀的。
”
（1）SJ-MOS在N层具有柱状P层（P柱层）。P层和N层交替排列。（参见图3-9（b））
（2）通过施加VDS，耗尽层在N层中扩展，但其在SJ-MOS中的扩展方式与在一般D-MOS中不同。（关于电场强度，参见图3-9（a）／（b）。电场强度将表示耗尽层的状态。
（3）如果是D-MOS的情况，电场强度在P／N层接口处最强。当电场强度超过硅的极限时，会发生击穿现象，这就是电压极限。另一方面，如果是SJ-MOS的情况，电场强度在N层中是均匀的。
（4）所以，SJ-MOS可采用具有较低电阻的N层设计，以实现低导通电阻产品。
采用与DMOS相同尺寸的芯片，SJ-MOS可以实现更低的导通电阻。
图3-9（a）D-MOS（π-MOS）的结构和电场
图3-9（b）SJ-MOS（DTMOS）的结构和电场
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