“对于给定的制造工艺和晶片区域，微控制器的功耗主要取决于两个因素（动态可控）：电压和频率。ST公司L系列超低功耗芯片为130nm超低泄漏工艺，在超低功耗所做的设计思路如下。
”对于给定的制造工艺和晶片区域，微控制器的功耗主要取决于两个因素（动态可控）：电压和频率。ST公司L系列超低功耗芯片为130nm超低泄漏工艺，在超低功耗所做的设计思路如下：
1. 围绕Cortex-M3内核构建，具有领先的处理性能和代码密度，其处理性能使得运行模式时间更少，因此可以使深度睡眠模式的时间更长；
2. 提供3个动态可选电压范围，从1.8V到1.2V，可在能耗上提供超过25%的增益；
3. 提供7种低功耗模式，逐步禁用与频率无关的电流源（时钟源、非易失性存储器、调压器），直至大部分外设掉电；
4. 灵活的门控技术，超低功耗模式下只激活必要的逻辑门；
a. 闲置的引脚配置为模拟输入；
b. 连接外围电路的引脚，提供有效的Pull Up或Pull Down电平输入，避免电位差引起泄露电流。
附：SMT32 GPIO八种工作方式内部框图
GPIO输入：
GPIO输出：
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