尚阳通高速IGBT与MOSFET的应用特性比较

尚阳通推出650V沟槽栅场效应截止型超高速（FSU）系列IGBT。此系列产品专为高频开关电源应用进行了优化设计；较传统方案降低了开关损耗，是替换MOSFET产品的一种高性价比方案。在实际应用中由于IGBT具有拖尾电流，常应用在40kHz及以下频率。

通过比较尚阳通SnowMOSTM B系列产品和IGBT 产品，对器件的动静态参数和波形进行分析，可以更好的认知尚阳通产品特征。如下是尚阳通MOSFET SRC65R042BT-G 和 IGBT SRE50N065FSUD6T-G产品的静动态参数比较表格：

通过上表可以看到，两款产品的静态参数相当；但实际IGBT是导通压降特性，MOSFET是导通电阻特性，根据实际静态数据计算两者导通损耗 vs 导通电流曲线如下。可以看到，在小电流下，MOSFET损耗相对较小；在大电流下，IGBT的导通损耗较小。

尚阳通IGBT SRE50N065FSUD6T的动态参数Qg，Cies和Coes相比较B 系列MOSFET更小。这可以改善开关电源设计中的驱动损耗，也可以使用性价比更高的驱动线路。

实际测试关断损耗曲线如上图。在小电流情况下，MOSFET关断损耗较优；在大电流情况下，IGBT关断损耗略优。综合导通损耗的特点可以看出，MOSFET适合应用在中小功率以及高频工作情况下，而IGBT更适合工作在中大功率和低频工作情况下。

以传统PFC线路为例，主功率器件的电流开关波形如上图。根据此波形评估分别采用MOSFET和IGBT的损耗分布如下：

可以看到，MOSFET 在130kHz工作条件下总损耗略小于IGBT在45kHz工作条件下的总损耗。MOSFET有利于提升系统工作频率，减少系统体积；IGBT在低频工作下是性价比更高的一种方案。