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VOA在光纤系统中的各类问题

关键词:VOA 光纤系统 MEMS

时间:2020-05-06 13:37:44      来源:网络

MEMS(Micro Electro Mechanical System,微机电系统)技术被广泛应用于光纤通信系统中,MEMS 技术与光学技术的结合,通常称作 MOEMS 技术。最为常用的 MOEMS 器件包括光衰减器 VOA、光开关 OS、可调光学滤波器 TOF、动态增益均衡器 DGE、波长选择开关 WSS 和矩阵光开关 OXC。

MEMS(Micro Electro Mechanical System,微机电系统)技术被广泛应用于光纤通信系统中,MEMS 技术与光学技术的结合,通常称作 MOEMS 技术。最为常用的 MOEMS 器件包括光衰减器 VOA、光开关 OS、可调光学滤波器 TOF、动态增益均衡器 DGE、波长选择开关 WSS 和矩阵光开关 OXC。


VOA 在光纤通信系统中常用于光功率均衡,在各种技术方案中,MEMS VOA 具有尺寸小、成本低和易于制造的优势。最常用的 MEMS VOA 有两类:MEMS Shutter 型和 MEMS 微镜型,前者通常以热效应驱动,后者通常以静电力驱动。


MEMS Shutter 型 VOA


基于 MEMS Shutter 的 VOA 结构如图 1 所示,MEMS Shutter 被插入两根光纤之间的光路,衰减量取决于被阻挡的光束截面大小。在实际应用中,这种 VOA 也可以设计成反射型。
 

图 1. 基于 MEMS shutter 的 VOA 结构


MEMS 微镜型 VOA


如图 2 所示为基于 MEMS 扭镜的 VOA 结构,它以双光纤准直器的两根尾纤作为输入/输出端口,准直光束被 MEMS 微镜反射偏转,从而联通输入/输出端口之间的光路。扭动微镜让光束发生偏转,从而产生光功率的衰减。
 

图 2. 基于 MEMS 扭镜的 VOA 结构


MEMS 扭镜通常有两种结构,即平板电极和梳齿电极,如图 3 所示。考虑 0~20dB 的衰减范围,前者通常需要>10V 的驱动电压,后者可将驱动电压降至 5V 以下。然而,仅仅一个微小的粉尘颗粒就会卡住梳齿电极,因此其生产良率较低。采用梳齿电极的 MEMS 微镜,通常需要在超净环境下封装。

 

图 3. 两类 MEMS 扭镜:平板电极和梳齿电极

 

MEMS 微镜型 VOA 中的 WDL 问题


基于 MEMS shutter 和 MEMS 微镜的 VOA 均有广泛应用,前者性能指标较好,但装配工艺相对复杂;后者易于装配但 WDL(波长相关损耗)相对较大。在宽带应用中,此类 VOA 会对不同波长产生不同的衰减量,此现象定义为 WDL。宽带应用中,要求 WDL 指标越小越好。


WDL 问题源于单模光纤 SMF 中的模场色散,我们知道,光纤中的不同波长具有不同的模场直径,长波的模场直径更大一些。图 4 所示为光纤中模场的色散情况。

图 4. 光纤中模场色散情况


如图 4 所示,光束被 MEMS 微镜反射偏转,不同波长的的光斑均偏离出射光纤的纤芯。在未经优化的 VOA 中,所有波长的光斑具有相同的偏移量。如式(1),衰减量 A 取决于偏移量 X 和模场半径ω。



 (1)在一个相对有限的波长范围内,如 C 波段(1.53~1.57μm),单模光纤中的模场色散情况可以式(2)作线性近似处理[3]。

 


(2)对于常用的康宁公司 SMF-28 型单模光纤,上式中的系数为 a=5.2μm、b=3.11@λc=1.55μm。当中心波长λc 处的衰减量 Ac 给定时,得到光斑的偏移量 Xc 如式(3)。

 


(3)综合式(1-3)可得到波长范围λs~λl 内的 WDL 如式(4),其中下标 s, c, l 分别代表波段范围内的短波、中波和长波。



(4)根据式(4),当 VOA 的衰减量 Ac 设置越大时,光斑的偏移量 Xc 也越大,因此会产生更大的 WDL,如图 5, 图 6 所示。根据图 6,在衰减范围 0~20dB 和波长范围 1.53~1.57μm 之内,最大 WDL 可达 0.96dB。商用 MEMS VOA 可测得最大 WDL 为 1.5dB,这是因为光学系统色散的影响,造成不同波长的光斑在输出光纤端面的偏移量不同。这种情况与图 4 所示情况不同,在图 4 中,所有光斑具有相同的偏移量。
 

图 5. 对应不同衰减水平的 WDL

 



图 6. 对应不同衰减水平的 WDL

 

MEMS 微镜型 VOA 的 WDL 优化


MEMS 微镜型 VOA 中的 WDL 源于两个因素:模场色散和光学系统色散,两个因素的影响累加起来,让最大 WDL 达到 1.5dB。那么这两个因素的影响能否相互抵消,以助于减小 WDL 呢?答案是可以,但需要精细的分析和设计。


根据式(1),长波具有更大的模场直径,因此其衰减量更小。如图 4.16 所示,如果光学系统能够对长波的光斑产生更大的偏移量,就可以增加长波的衰减量,从而对衰减谱线产生均衡作用。
 

图 7. 光学系统的色散与模场色散相互抵消情况


然而,根据式(4),因两个因素产生的 WDL,只能在某个特定的衰减水平 Ac 下完全相互抵消。当 VOA 器件的衰减量被设置为一个异于 Ac 的数值时,将会存在剩余 WDL,如图 8 所示。


从图 8 中看到,在优化之前,最大 WDL 产生于衰减量为 20dB 时。如果通过优化,将衰减量为 20dB 时的 WDL 完全抵消,则最大 WDL 产生于衰减量为 4dB 时。 如果将衰减量为 13dB 时的 WDL 完全抵消,则在 0~20dB 的衰减范围内,最大 WDL 将<0.2dB。
 

图 8. 两个引起 WDL 的因素相互抵消情况


目前已有各种方案,可通过光学系统产生相反的色散。在图 9 中,准直透镜与 MEMS 微镜之间插入了一个棱镜,因而光学系统的色散与模场色散相互抵消。然而,额外加入的棱镜会增加 VOA 器件的成本和复杂度。图 10 展示了另一个解决方案,该方案要求制造准直透镜的玻璃材料具有很高的色散,并且透镜前端面倾角>10°(在现有器件中,这个角度通常为 8°)[4]。

 

图 9 通过引入棱镜来优化 WDL ; 图 10 通过高色散的准直透镜来优化 WDL

 

基于对光学系统色散的透彻分析,华中科技大学的万助军等人提出了第三种解决方案,准直透镜的材料为常用的 N-SF11 玻璃,透镜的曲率半径也是常用的 R=1.419mm。为了优化 WDL 指标,得到准直透镜的其他参数之间的关联曲线如图 4.20 所示,曲线上任意一点给出准直透镜的一组参数:端面角度φ和透镜长度 L。基于这些参数加工准直透镜,VOA 器件的 WDL 指标将得到优化。注意图 11 中的端面角度φ均为负值,因此双光纤插针与准直透镜需要按照图 12(d)中的方向进行装配,而非如图 12(c)中的现有 MEMS VOA 装配方式。他们最终装配的 MEMS 微镜 VOA 如图 13 所示,据报道,在衰减范围 0~20dB 和波长范围 1.53~1.57μm 之内,测得最大 WDL<0.4dB。
 

图 10. WDL 优化之后准直透镜参数之间的关系

 



图 11. 通过调整准直透镜端面角度优化 WDL 指标

 



图 12.  MEMS 微镜 VOA 样品


随着 DWDM 技术的快速发展,MEMS VOA 的在光通信网络中的应用将越来越广泛。亿源通立足于现有业务的需求以及面向未来网络发展需求,推出了一系列自主研发的 MEMS 技术产品, 包括 1×48 通道的光开关, 与 WDM、PLC 或 PD 集成的 MEMS 光开关模块,以及 MCS 模块等。

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