中国电子技术网

设为首页 网站地图 加入收藏

 
 

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)外形、等效结构与符号

关键词:绝缘栅双极型晶体管

时间:2024-09-02 10:09:37      来源:网络

IGBT的外形、等效结构和符号如图7-17所示,从等效结构图中可以看出,IGBI相当于一个 PNP 型三极管和增强型 NMOS 管以图 7-17(b)所示的方式组合而成。IGBT有三个极:C极(集电极)、G极(栅极)和E极(发射极)。

IGBT的外形、等效结构和符号如图7-17所示,从等效结构图中可以看出,IGBI相当于一个 PNP 型三极管和增强型 NMOS 管以图 7-17(b)所示的方式组合而成。IGBT有三个极:C极(集电极)、G极(栅极)和E极(发射极)。

图 7-17中的IGBT是由PNP型三极管和N沟道MOS管组合而成,这种IGBT称作N-IGBT,用图7-17(c)所示符号表示,相应的还有P沟道IGBT,称作P-IGBT,将图 7-17(c)符号中的箭头改为由E极指向G极即为P-IGBT的电路符号。由于电力电子设备中主要采用 N-IGBT,下面以图7-18所示的电路为例来说明 N-IGBT的工作原理。

电源区通过开关S为IGBT提供U电压,电源IGBTE,经R为IGBT提供U电压。当开关S闭合时,IGBT的 G、E极之间获得电压 U,只要 U电压大R,于开启电压(2~6V),IGBT内部的NMOS管就有导电沟道形成,MOS管D、S极之间导通,为三极管YC人电流提供通路,三极管导通,有电流从IGBT的6C极流入,经三极管发射极后分成和两路电流,1电流流经MOS管的D、S极,电流从三极管的集电极流出,1、L电流汇合成上电流从IGBT的E极流出,即IGBT处于导通状态。当开关S断开后,U电压为管导电沟道夹断(消失),、都为0,、“电流也为 0,即IGBT 处于截止状态。调节电源 E,可以改变 U电压的大小,IGBT 内部的 MOS 管的导电沟道宽度会随之变化,L电流大小会发生变化,由于电流实际上是三极管的工电流,1,细小的变化会引起厶电流(1,为三极管的,电流)的急剧变化。例如,当U增大时,MOS 管的导通沟道变宽,几电流增大,电流也增大,即IGBT的C极流入、E极流出的电流增大。

  • 分享到:

 

猜你喜欢

  • 主 题:瑞萨电子新一代工业级电源功率器件(SiC, IGBT, GaN, Mosfet)
  • 时 间:2024.09.19 查看回放
  • 公 司:瑞萨电子& 新晔电子