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左蓝微电子5G滤波器取得突破进展

关键词:5G滤波器 5G小基站

时间:2022-06-08 13:35:59      来源:网络

5G芯片发展任重道远,器件的成熟需要规模应用的支持,也需要产业链上中下游的协同。左蓝微电子将在这一过程中持续拓展更多的5G频段产品系列,推出具有更高性能、更强市场竞争力的大带宽、高性能产品,为客户提供更优解决方案和到位的专业服务!

2022年是5G规模化应用的关键之年,随着5G技术的广泛应用,对n41/n77/n78/n79等新增频段的需求受到市场关注。左蓝微电子自主研发的5G n78 PEBAWTM滤波器取得突破进展!该滤波器既适用于5G小基站,又可应用于高品质的5G移动智能终端。


n78 PEBAWTM滤波器样品正反面图

在密集区域和室内(如办公楼、购物中心等)条件下,由于宏基站信号穿透能力不足,通常会使用小基站来扩大信号覆盖范围、增强网络容量。5G新增多个Sub-6G频段,更高的频率要求更高的基站分布密度,在5G密集化部署的趋势下,小基站将在扩大5G网络容量和室内信号覆盖范围方面发挥重要的作用!据市场调研预期,到2025年,全球仅企业用小基站需求量便将增加至550万台。就中国市场而言,5G小基站市场规模预计将达到数千万数量级。

左蓝微电子本次推出的5G n78 PEBAWTM滤波器产品,具备小尺寸、低插损、良好的带外抑制、高功率等特点。其通带频率为3400-3600MHz,最大输入功率33dBm,支持工作-40℃至+95℃温度范围。其中,1.4mm x 1.1mm封装尺寸适用于小基站,而更小尺寸的1.1mm x 0.9mm可应用于5G移动智能终端。


左蓝n78 PEBAWTM滤波器电性能曲线

该产品在0.1-2.7GHz及3.7-8GHz频率范围内的抑制可控制在30db左右,在2.4-2.7GHz的WiFi/n41重点频段的抑制可达到35db以上,在n79频段内的抑制甚至可超过40db。除带外高抑制外,左蓝产品拥有极佳的带内插损及电压驻波比,通带内的最大插损为2.2dB,type值为1.7dB,带内部分技术指标已达国内同级别产品领先水平。

5G芯片发展任重道远,器件的成熟需要规模应用的支持,也需要产业链上中下游的协同。左蓝微电子将在这一过程中持续拓展更多的5G频段产品系列,推出具有更高性能、更强市场竞争力的大带宽、高性能产品,为客户提供更优解决方案和到位的专业服务!

左蓝微电子是一家在TC-SAW、PEBAWTM和射频模组等产品上都有突出研发实力的国家高新技术企业,公司专注于高性能射频滤波器、双工器/多工器和射频前端模组的研发和销售,为客户提供专业、高效、完整的射频前端解决方案,满足4G/5G通信需求,致力于打破国外垄断。公司积极参与射频前端核心器件的国产化替代进程,凭借出色的技术实力和优秀、稳定的供应链体系,公司产品已通过国内知名厂商测试认证、并持续获得订单,实现批量交付!

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