DRAM模块是什么?你知道DRAM的组织方式吗?

虽然很多人对 DRAM 不太熟悉，但是 DRAM 却并非新奇玩意儿。因为，在使用电脑的时候，我们都在和 DRAM 打交道。为增进大家对 DRAM 的认识程度，本文将基于两点对 DRAM 予以介绍：1.DRAM 的组织方式介绍，2.DRAM 模块介绍。

一、DRAM 组织方式介绍

随着系统对内存容量、带宽、性能等方面的需求提高，系统会接入多个 DRAM Devices。而多个 DRAM Devices 不同的组织方式，会带来不同的效果。本文将对不同的组织方式及其效果进行简单介绍。
 
1. Single Channel DRAM Controller 组织方式

Single Channel 指 DRAM Controller 只有一组控制和数据总线。 在这种场景下，DRAM Controller 与单个或者多个 DRAM Devices 的连接方式如下所示：
 
1.1 连接单个 DRAM Device

Single Channel 连接单个 DRAM Device 是最常见的一种组织方式。 由于成本、工艺等方面的因素，单个 DRAM Device 在总线宽度、容量上有所限制，在需要大带宽、大容量的产品中，通常接入多个 DRAM Devices。
 
1.2 连接多个 DRAM Devices

上图中，多个 DRAM Devices 共享控制和数据总线，DRAM Controller 通过 Chip Select 分时单独访问各个 DRAM Devices。此外，在其中一个 Device 进入刷新周期时，DRAM Controller 可以按照一定的调度算法，优先执行其他 Device 上的访问请求，提高系统整体内存访问性能。
 
NOTE：CS0 和 CS1 在同一时刻，只有一个可以处于使能状态，即同一时刻，只有一个 Device 可以被访问。
 
上述的这种组织方式只增加总体容量，不增加带宽。下图中描述的组织方式则可以既增加总体容量，也增加带宽。

上图中，多个 DRAM Devices 共享控制总线和 Chip Select 信号，DRAM Controller 同时访问每个 DRAM Devices，各个 Devices 的数据合并到一起，例如 Device 1 的数据输出到数据总线的 DATA[0:7] 信号上，Device 2 的数据输出到数据总线的 DATA[8:15] 上。这样的组织方式下，访问 16 bits 的数据就只需要一个访问周期就可以完成，而不需要分解为两个 8 bits 的访问周期。
 
2. MulTI Channel DRAM Controller 组织方式

MulTI Channel 指 DRAM Controller 只有多组控制和数据总线，每一组总线可以独立访问 DRAM Devices。 在这种场景下，DRAM Controller 与 DRAM Devices 的连接方式如下所示：
 
2.1 连接 Single Channel DRAM Devices

这种组织方式的优势在于多个 Devices 可以同时工作，DRAM Controller 可以对不同 Channel 上的 Devices 同时发起读写请求，提高了读写请求的吞吐率。
 
NOTE：CS0 和 CS1 在同一时刻，可以同时处于使能状态，即同一时刻，两个 Devices 可以同时被访问。
 
2.2 连接 MulTI Channel DRAM Device

在一些 DRAM 产品中，例如 LPDDR3、LPDDR4 等，引入了 MulTI Channel 的设计，即一个 DRAM Devices 中包括多个 Channel。这样就可以在单个 Device 上达成 Multi Channel 同时访问的效果，最终带来读写请求吞吐率的提升。
 
二、DRAM 模块

DRAM 的英文全称是"Dynamic RAM"，翻译成中文就是"动态随机存储器"。。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM 必须隔一段时间刷新(refresh)一次。如果存储单元没有被刷新，数据就会丢失。 DRAM 用于通常的数据存取。我们常说内存有多大，主要是指 DRAM 的容量。

所有的 DRAM 基本单位都是由一个晶体管和一个电容器组成。请看下图：

上图只是 DRAM 一个基本单位的结构示意图：电容器的状态决定了这个 DRAM 单位的逻辑状态是 1 还是 0，但是电容的被利用的这个特性也是它的缺点。一个电容器可以存储一定量的电子或者是电荷。一个充电的电容器在数字电子中被认为是逻辑上的 1，而“空”的电容器则是 0。电容器不能持久的保持储存的电荷，所以内存需要不断定时刷新，才能保持暂存的数据。电容器可以由电流来充电——当然这个电流是有一定限制的，否则会把电容击穿。同时电容的充放电需要一定的时间，虽然对于内存基本单位中的电容这个时间很短，只有大约 0.2-0.18 微秒，但是这个期间内存是不能执行存取操作的。
 
DRAM 制造商的一些资料中显示，内存至少要每 64ms 刷新一次，这也就意味着内存有 1%的时间要用来刷新。内存的自动刷新对于内存厂商来说不是一个难题，而关键在于当对内存单元进行读取操作时保持内存的内容不变——所以 DRAM 单元每次读取操作之后都要进行刷新：执行一次回写操作，因为读取操作也会破坏内存中的电荷，也就是说对于内存中存储的数据是具有破坏性的。所以内存不但要每 64ms 刷新一次，每次读操作之后也要刷新一次。这样就增加了存取操作的周期，当然潜伏期也就越长。 SRAM，静态(Static)RAM 不存在刷新的问题，一个 SRAM 基本单元包括 4 个晶体管和 2 个电阻。它不是通过利用电容充放电的特性来存储数据，而是利用设置晶体管的状态来决定逻辑状态——同 CPU 中的逻辑状态一样。读取操作对于 SRAM 不是破坏性的，所以 SRAM 不存在刷新的问题。
 
SRAM 不但可以运行在比 DRAM 高的时钟频率上，而且潜伏期比 DRAM 短的多。SRAM 仅仅需要 2 到 3 个时钟周期就能从 CPU 缓存调入需要的数据，而 DRAM 却需要 3 到 9 个时钟周期(这里我们忽略了信号在 CPU、芯片组和内存控制电路之间传输的时间)。