- 1. 以工艺窗口建模探索路径：使用虚拟制造评估先进DRAM电容器图形化的工艺窗口 2023-11-20
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持续的器件微缩导致特征尺寸变小，工艺步骤差异变大，工艺窗口也变得越来越窄[1]。半导体研发阶段的关键任务之一就是寻找工艺窗口较大的优秀集成方案。如果晶圆测试数据不足，评估不同集成方案的工艺窗口会变得困难。为克服这一不足，我们将举例说明如何借助虚拟制造评估 DRAM 电容器图形化工艺的工艺窗口。 - 2. 以工艺窗口建模探索路径：使用虚拟制造评估先进DRAM电容器图形化的工艺窗口 2023-11-17
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持续的器件微缩导致特征尺寸变小，工艺步骤差异变大，工艺窗口也变得越来越窄[1]。半导体研发阶段的关键任务之一就是寻找工艺窗口较大的优秀集成方案。如果晶圆测试数据不足，评估不同集成方案的工艺窗口会变得困难。为克服这一不足，我们将举例说明如何借助虚拟制造评估 DRAM 电容器图形化工艺的工艺窗口。 - 3. 为什么消费类DRAM无法满足工业应用需求？ 2023-08-25
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消费类DRAM广泛普及，而且往往物美价廉。然而，这些表面上的好处掩盖了消费类DRAM 在工业应用中的真正危险和缺陷。在本文中，我们将探讨消费类DRAM和工业DRAM之间的差异，并揭示不正确使用DRAM的风险。 - 4. 3D DRAM时代即将到来，泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构 2023-08-04
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动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路，目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备，如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。 - 5. 3D时代值得关注的趋势 2023-06-02
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随着电子设备精密化，人们愈发要求半导体技术能以更低的成本实现更优的性能和更大的容量。这些趋势推动了半导体技术的重大进步，在过去十年中2D NAND逐渐过渡到3D NAND。 - 6. FPGA开发板为什么要使用SDRAM呢 2022-11-29
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SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线 同步。时钟被用来驱动一个有限状态机，对进入的指令进行管线(Pipeline)操作。 - 7. SK海力士引领High－k／Metal Gate工艺变革 2022-11-14
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由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术，并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。 - 8. SPARC：用于先进逻辑和 DRAM 的全新沉积技术 2022-10-09
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芯片已经无处不在：从手机和汽车到人工智能的云服务器，所有这些的每一次更新换代都在变得更快速、更智能、更强大。创建更先进的芯片通常涉及缩小晶体管和其他组件并将它们更紧密地封装在一起。然而，随着芯片特征变得更小，现有材料可能无法在所需厚度下实现相同性能，从而可能需要新的材料。 - 9. 利用电可擦除可编程逻辑器件实现DSP与SDRAM接口设计 2022-02-07
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在多媒体应用中，多媒体信息绝大部分是视频数据和音频数据，而数字化的视频数据和音频数据的数据量是非常庞大的。为了能够及时完整地处理前端采集的数据，一般系统都采用高速DSP和大容量缓冲存储器，且缓冲存储器一般选用同步动态随机存储器（SDRAM）。由于DSP不能直接与SDRAM接口，而且SDRAM控制时序比较复杂，因此本文介绍如何利用电可擦除可编程逻辑器件实现TMS320C5402与SDRAM的接口。 - 10. 大规模物联网连接数量成倍增长，系统设计要如何应对 2021-10-14
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为了在市场上获得更广泛采用，物联网应用必须满足各种设计考虑因素，例如低成本、低功耗和运算效率。尤其对于电池供电的设备（例如智能音箱和智能电表）而言，除了丰富的物联网功能和易于使用的人机接口，电池寿命也成为产品成功与否的关键，因此低功耗因素变得越来越重要。为了延长电池寿命，除了使用低功耗 MCU，还应考虑其他低功耗的周边组件。
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