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恩智浦借助RapidRF加速5G设计

关键词:恩智浦 RapidRF 5G O-RAN

时间:2023-02-28 14:02:02      来源:恩智浦

Open RAN(O-RAN)发展势头强劲,在全球迅速普及,恩智浦通过打造增强型参考设计,助力5G O-RAN的快速部署。这包括采用恩智浦RapidRF Smart LDMOS前端解决方案(称为“SL系列”)将射频功能集成到客户的设计中。

作者:Megan Faust

Open RAN(O-RAN)发展势头强劲,在全球迅速普及,恩智浦通过打造增强型参考设计,助力5G O-RAN的快速部署。这包括采用恩智浦RapidRF Smart LDMOS前端解决方案(称为“SL系列”)将射频功能集成到客户的设计中。

恩智浦第2代RapidRF前端参考板可节省电路板空间,降低整体复杂性,并为TDD蜂窝应用提供完整的即用型电路。与前几代一样,第二代RapidRF参考板实现完全匹配的放大器50欧姆输入和50欧姆输出。这样可构成完整的产品系列,无需调整即可轻松使用。


RapidRF参考电路展示了恩智浦的PA、预驱动器、带T/R开关的Rx低噪声放大器以及环形器的完整布板

第2代RapidRF参考板还搭载了自偏置控件的PA模块,该模块出厂时预置了最佳偏置点,也可以针对不同应用通过可编程串行接口进行调整。该集成自偏置控件具有新颖的闭环反馈电路,它调节LDMOS栅极电压,保持约束静态偏置电流,用于连续温度跟踪。该集成式精密温度传感器可通过串行接口接入,能够精确监测PA的工作温度。板上已经安装了恩智浦完整的TX/RX系列,尺寸更小,重量更轻,可简化5G mMIMO射频设计。该系列适用于mMIMO射频单元(64T64R)、室外小蜂窝以及大功率宏基站的驱动器。


RapidRF Smart LDMOS前端设计框图

性能不打折

RapidRF整体设计紧凑,但仍提供卓越的性能。它集成的Doherty功率放大器采用10mm x 8mm封装,在额定功率下能效提高了40%。该设计还包含一个线性预驱动器、带T/R开关的Rx低噪声放大器和一个环行器。


RapidRF系列的近距离视图,展示了模块和附加组件

对于要求天线平均发射功率为2.5至8 W(34-39 dBm)的5G射频单元,RapidRF参考板是上佳选择。用于多个频段的多种型号采用通用的PCB布板,简化了设计和制造,加快了产品面市速度。

下载RapidRF简介,了解有关恩智浦的主要特性、优势和目标应用的详细信息。

了解更多信息?请访问我们的网站

全新RapidRF板可在恩智浦网站订购。网站上提供覆盖了3.4~4.0GHz的广泛的参考电路。

可订购板型号

频段/功率

板说明

供货情况

RAPIDRF-36SL037

3400~3800MHz
,8dB OBO时平均功率为5W

用于n78频段的64T64R mMIMO射频单元
A3M36SL037:内置了偏置控件的多芯片模块
BTS6201U:Tx预驱动器
BTS7203U:带LNA/Tx开关的Rx模拟前端IC







可供货

RAPIDRF-36SL039

3400~3800MHz
,8dB OBO时平均功率为8W

用于B42和B48频段的64T64R mMIMO射频单元
A3M36SL039:内置了偏置控件的多芯片模块
BTS6201U:Tx预驱动器
BTS7203U: 带LNA/Tx开关的Rx模拟前端IC

RAPIDRF-39SL039

3400~4000MHz
,8dB OBO时平均功率为8W

用于C频段的64T64R mMIMO射频单元
A3M39SL039:内置了偏置控件的多芯片模块
BTS6201U:Tx预驱动器
BTS7203U:带LNA/Tx开关的Rx模拟前端IC

如需了解恩智浦RapidRF“SL”前端设计的更多信息,请访问:nxp.com/RapidRFSL。

作者:


Megan Faust
恩智浦半导体射频功率解决方案战术营销人员

Megan是恩智浦半导体射频功率解决方案营销团队的战术营销人员。Megan Faust曾与恩智浦射频移动通信基础设施和多市场领域团队合作。恩智浦RP应用包括SiGe、LDMOS和GaN射频解决方案设计,适用于移动和通信基础设施以及消费电子、工业和航空航天/国防领域。恩智浦射频功率营销团队致力于使射频更易于使用,为客户提供支持,并应对新的细分市场中的问题。Megan负责射频器件和评估板的物流、运营和分销支持,同时支持恩智浦射频功率的创新和市场开发。Megan获得了亚利桑那州立大学(Arizona State University)的商业文学学士学位和应用商业数据分析认证。

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