SiC逆变器领域三强联合！

23日，比利时高温半导体及功率模块领域的领先厂商CISSOID宣布与高性能电容器领域的龙头NAC Group和Advanced Conversion达成了合作关系。

三方将联合开发紧凑型、优化集成的3相SiC功率堆栈（Power Stack），结合CISSOID的1200V SiC智能功率模块及Advanced Conversion的6组低ESR/ESL直流支撑（DC-Link）电容器。该功率堆栈可进一步与控制器板和液体冷却器集成，提供完整的硬件和软件平台来设计电机驱动用的高功率密度、高效率的SiC逆变器。

Source：CISSOID

据介绍，CISSOID的智能功率模块IPMs平台集成了一个3相1200V/340A-550A SiC MOSFET功率模块，该功率模块搭载了耐高温的门驱动器，可实现低开关损耗和高功率密度。IPMs平台可通过控制板和算法进一步提升性能，为电动车驱动器中SiC逆变器提供实时处理、控制和功能安全。

该功率模块的电阻范围为2.53mOhms到4.19mOhms，具体取决于额定电流；在600V/300A条件下，总开关能量低至7.48mJ (Eon)和7.39mJ (Eoff)。

CISSOID表示，协同设计功率模块及门驱动器有助于通过仔细调试dV/dt，控制快速开关固有的电压过冲来优化IPMs，从而实现最低的开关能量。

嵌入式门驱动器解决了与快速开关SiC晶体管相关的多项难题，包括：负驱动和有源米勒钳位（AMC）可防止寄生导通；去饱和检测和软关断（SSD）可对短路事件作出快速且安全的反应；门极驱动器和直流总线电压上的欠压锁定（UVLO）功能可监控系统的正常运行。

另外，Advanced Conversion开发的6组直流支撑电容器可通过低电感母线机械地匹配CISSOID的IPMs平台。基于此，一组电容器数值达500µF、额定电压值达900V的参考电容器即可用于实现快速评估。同时，基于先进的转换环形薄膜电容器，还可以提供定制化解决方案，该电容器很适合“表面安装”在与开关模块连接的优化总线结构上。

CISSOID称，这项专有技术结合总线冷却可提供很高的每微法拉额定安培数，从而匹配尽可能小的电容，并最大限度地降低换向回路电感。此外，使用正确的开关模块及合适的连接设计，能够很容易实现低于5nH的等效串联电感值。

NAC Group表示，对于使用快速开关的高功率逆变器来说，直流支撑是关键的器件，而这在设计的初始阶段经常被忽略。不过，高效、快速开关的宽禁带器件需要精心设计、紧密集成电容器的直流支撑总线拓扑结构。

据悉，NAC Group已与Advanced Conversion合作开发了一系列可匹配CISSOID功率模块一起使用的套件。得益于该电容器套件，客户能够快速找到匹配快速开关3相SiC IPMs平台的高性能电容器，加快逆变器设计，从而实现紧凑、高效的电机驱动。（文：化合物半导体市场 Jenny编译）