基于DS2786 OCV电路板的编程及测试步骤

　　引言

　　基于开路电压（OCV）的电量计DS2786在出厂时将默认的OCV特性和默认配置加载到EEPROM中。为了提高OCV电量计的精度并使DS2786适应特定的应用场合，必要时需对DS2796的EEPROM进行再编程。本文描述了如何对EEPROM进行编程及如何对已经安装好的电路板进行测试。

　　板极测试

　　下文给出了一个安装电池包之前测试基于DS2786 OCV电路板的例子。图1为电路板的电路原理图，用到了DS2786的所有功能。图中所有重要的测试点（共7个）都用带圈数字标出。测试流程假定电路中的所有分立元件已经过测试，因此，测试目的为确认线路连接，从而验证安装的电路板是否正确。
　　

图1. 必须验证的电路节点

　　测试步骤1：测试初始化。该步骤的目的是确定电路板中是否存在直接短路，是否能进行通信。器件成功通信后可以读取电压寄存器读数，以验证SDA和SCL连接（节点1）、Pack+和VDD引脚之间的连接（节点2），以及Pack-和VSS引脚（节点3）之间的连接是否正确。此外，通过读取电压寄存器并确认测试是否有效，可以验证VIN引脚（节点4）连接是否正确。

　　Pack+与Pack-间接4.0V电源。

　　等待880ms。 等待电压转换。

　　读电压寄存器： 2字节。

　　若未发生通信表明电路安装失败。

　　若电压读数不正确表明电路安装失败。

　　测试步骤2：验证SNS （节点5）。通过有效的电流测试可验证SNS引脚连接是否正确。

　　Pack+与Pack-间接4.0V电源。

　　Pack-与系统VSS间电流为1.0A。

　　等待880ms。 等待电流转换

　　读电流寄存器： 2字节。

　　若电流读数不准确表明电路安装失败。

　　测试步骤3：验证辅助输入AIN0和AIN1连接（节点6）。通过有效的电阻测量可验证AIN0和AIN1引脚连接是否正确。这一步是可选的。

　　在PackID端与Pack-间接10kΩ电阻。

　　在Therm端与Pack-间接10kΩ电阻。

　　Pack+与Pack-间接4.0V电源。

　　等待880ms。 等待辅助输入转换。

　　读AIN0和AIN1： 4字节。

　　若AIN0/AIN1读数不准确表明电路安装失败。

　　测试步骤4：验证VPROG并对EEPROM编程（节点8）。需要提供一个测试点用于连接编程电压至VPROG引脚，以对DS2786的EEPROM进行编程。通过写EEPROM和复制EEPROM可以验证该连接是否正确，并验证EEPROM是否已更新。EEPROM中包括了电流失调偏置寄存器（COBR），因此在编程EEPROM之前校准COBR是有益的。

　　Pack+与Pack-间接4.0V电源。

　　校准COBR。 若希望进行COBR校准，可以参看下文的详细说明。

　　写参数EEPROM区： 32字节。

　　将参数复制到EEPROM。

　　等待14ms。 等待复制EEPROM。

　　向参数EEPROM区写0xFFh： 31字节非存储器地址0x7Dh）*。

　　从EEPROM中调用参数。

　　读参数EEPROM区： 32字节。

　　如果从EEPROM中读取到的32个字节都无法与原先写入的32字节相匹配，说明电路安装失败。

　　*不要向存储器地址7Dh写入0xFFh，否则从地址将变化并且器件将停止响应当前从地址。

　　电流失调偏置寄存器的校准

　　通过电流失调偏置寄存器，可在+3.175mV至-3.2mV间调节DS2786电流测量结果，步长为25μV。COBR的出厂默认值为0x00h。以下例子列出了校准DS2786电流失调偏置寄存器的步骤：

　　给DS2786加电，确保检测电阻中无电流。

　　向COBR中写0x00h （存储器地址0x60h）。

　　等待880ms，直至下一个转换周期到来。

　　读电流寄存器。

　　根据实际需要，多次重复步骤3和步骤4，直至获得平均电流读数。

　　将平均电流读数的相应值写入COBR。

　　将COBR值复制到EEPROM （该步骤应与将所有值复制到EEPROM结合起来共同进行）。

　　总结

　　要对组装好的基于OCV电量计DS2786进行正确验证，需要测试电路中的每一个焊点。测试步骤1、2和3可以合为一个步骤以缩短测试时间，尤其是可以缩短转换延迟时间。

　　此外，测试期间对EEPROM编程可以提供更有效的测试流程，同时可以提供足够的时间施加保存参数（包括电流失调偏置）至EEPROM所需的编程电压。