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氮化镓的十大关键要点

关键词:氮化镓 GaN 技术

时间:2022-05-17 13:32:02      来源:Qorvo半导体

氮化镓 (GaN) 是一种高性能化合物半导体。GaN 是一种 III-V 直接带隙化合物半导体,就像砷化镓 (GaAs) 一样。化合物半导体可在许多微波射频 (RF) 应用领域中提供速度和功率的出色组合解决方案。

没有时间?那就从这里开始吧!这个快速列表概述了这本书的要点。阅读本章节要点,如果有您感兴趣的内容,可在之前章节中查看完整的阐述说明。

» 氮化镓 (GaN) 是一种高性能化合物半导体。GaN 是一种 III-V 直接带隙化合物半导体,就像砷化镓 (GaAs) 一样。化合物半导体可在许多微波射频 (RF) 应用领域中提供速度和功率的出色组合解决方案。

» GaN 可为射频应用带来独特的优势。GaN 独特的材料属性可为射频系统提供高功率附加效率 (PAE)、高功率输出、小巧外形、宽带宽、热优势和坚固耐用等优势。

» 许多商业、国防和航空系统都使用 GaN。GaN 独特的优势支持许多新的和现有的应用,包括雷达、卫星通信、商业无线网络和有线电视。

» GaN 对 5G 至关重要。为满足 5G 对数千兆网速和超低延迟性能的要求,设备制造商开始在大规模多路输入 / 多路输出 (MIMO) 系统中部署高功率 GaN。

» GaN 可用于整个射频前端。GaN 最初用于制造功率放大器 (PA),但现在用于低噪声放大器 (LNA)、高功率开关和混频器。

» 多种 GaN 工艺和封装选项支持不同的应用。GaN 半导体制造商已经开发了多种工艺和封装选项,使系统设计人员能够更轻松地找到适合其特定应用的分立元件、单芯片微波集成电路 (MMIC) 或模块。

» GaN 极其可靠,即使在恶劣的环境下亦是如此。GaN 在 200℃温度条件下,平均无故障时间 (MTTF) 超过 1000 万小时 ;在 225℃ 温度条件下,MTTF 超过 100 万小时,比其他半导体技术更加可靠。

» GaN 可用于大批量生产应用。美国国防部 (DOD) 将 GaN 归类为最高级别制造成熟度 (MRL)(即 MRL 10)的工艺,这意味着全速生产和精益生产实践已经就绪。

» GaN 正在开拓新市场。由于其独特的性能,GaN 开始扩展到许多新的领域,包括汽车、医疗系统和先进的科学应用。

» GaN 技术将继续发展。未来 GaN 技术和封装方面的创新将支持更高的频率、更高的电压,甚至更宽的带宽,从而进一步推动 GaN 的普及。

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