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关于MOSFET漏极驱动的ZCD(零电流检测)引脚

关键词:MOSFET漏极驱动 ZCD 电阻器

时间:2021-09-15 10:33:01      来源:网络

本应用笔记介绍了从MOSFET漏极驱动的ZCD(零电流检测)引脚。该文档描述了标准的ZCD配置及其替代和电阻器配置。

本应用笔记介绍了从MOSFET漏极驱动的ZCD(零电流检测)引脚。该文档描述了标准的ZCD配置及其替代和电阻器配置。

CS1601采用ZCD(零电流检测)设计,当流过升压电感器的电流接近零时,该控制器便具有开启MOSFET的能力。这也可以描述为谷/零交叉切换。这是通过在PFC扼流圈上添加检测绕组来检测电流来实现的。

如果由于设计或制造方面的限制而在升压电感器上添加辅助绕组成为问题,那么下面将介绍实现此功能的替代方法。

标准ZCD配置

CS1501和CS1601的标准配置是将辅助绕组添加到PFC升压电感器,以提供零电流检测(ZCD)信息。

辅助绕组被添加到PFC升压电感器,以提供零电流检测(ZCD)信息。ZCD比较器在辅助绕组上寻找零交叉点,并在辅助电压低于零时切换。在振荡谷中进行切换可最大程度地降低切换损耗并降低EMI噪声。

替代配置

可以从PFC MOSFET的漏极通过电阻分压器实现ZCD。参见图2。

在较轻的负载下,电阻器分压器电路可能不会将ZCD引脚拉至其触发阈值(低),因为振铃电压本身会偏离零伏。这可能会导致驱动器导通,同时Boost MOSFET的漏极至源极之间仍然存在电压。使用与电阻R1串联的47 pF电容器,可以消除漏极波形上的DC漂移问题。电容器的值被最小化以防止额外的电容性开关损耗。

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