浅谈结型场效应晶体管(JFET) 的特性

结型场效应晶体管的沟道由 N 型半导体或 P 型半导体材料组成，栅极由相反的半导体类型制成。N 沟道掺杂有施主杂质，其中通过沟道的电流以电子的形式为负。P 沟道掺杂受主杂质，其中电流以空穴的形式流动为正。由于与空穴相比，电子通过导体具有更高的迁移率，因此 N 沟道 JFET 与其等效的 P 沟道类型相比具有更高的沟道导电性。

JFET的结构

输入阻抗非常高，因为栅极结是反向偏置的，并且没有少数载流子对流经器件的贡献。来自 N 沟道的电荷载流子耗尽用作 JFET 的控制元件。当栅极变得更负时，来自栅极周围较大耗尽区的多数载流子被耗尽。对于给定的源漏电压值，这会减少电流。

常用JFET的特点：

• 快速切换
• 对于低频操作，源漏可以互换
• 控制漏极电流的栅极电压
• 单个多数载波
• 体积小
• 高“Z”输入
• 结构与功能

FET 可以通过多种方式制造。重掺杂衬底通常用作硅器件的第二栅极。使用外延或通过将杂质扩散到衬底中或通过离子注入，可以生长有源N型区。漏极和源极之间的距离很重要，无论 FET 使用什么材料，都应保持最小距离。

该JFET被掺杂以含有正或负电荷载体的丰富，因为它是半导体材料的长通道。为了在界面处出现 PN 结，栅极端子的掺杂应该与围绕它的沟道的掺杂相反。电荷通过 JFET 的流动是通过收缩载流通道来控制的，而花园软管则是通过挤压它来控制水流以减小横截面。

N沟道和P沟道JFET的原理图符号如下所示。P 沟道 JFET 的工作方式与 N 沟道相同，但有以下例外：

– 偏置电压的极性需要反转
– 由于空穴，通道电流为正

JFET 的示意图符号

下面显示的 JFET 横截面图像是一个适当偏置的 JFET，其中栅极是反向的，并构成到源极到漏极半导体板的二极管结。如果在源极和漏极之间施加电压，由于掺杂，N 型条将在任一方向导电。反向偏置的程度控制导通。施加适度的反向偏压可以增加耗尽区的厚度。通过使沟道变窄，增加了源漏沟道的电阻。对于低电平漏电池电压，源漏电流可以在任一方向流动，因为源漏是可以互换的。