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TI推出采用新封装工艺的DualCool NexFET功率 MOSFET

关键词:DCDC 电源

时间:2010-02-09 11:28:15      来源:GEC

■ 记者:陈楠

许多标准架构(PCI、ATCA)、电信及服务器机柜设备都具有固定的支架/机柜尺寸和电源预算,因而当前的主要需求即在不降低效率和性能的情况下提高POL(负载点)的功率密度。为此,TI推出面向高电流 DC/DC 应用采用全新封装工艺的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列,借助新工艺,可以令功率转换产生的热量能通过对流冷却从封装顶部散出,有效提高了功率密度、电流承受能力,并增强了系统稳定性。

图1示意了传统封装与DualCool封装的区别。传统的封装形式中,MOSFET上表面是整块的塑料,而DualCool NexFET功率 MOSFET的表面则有一块金属表层。图中,红色的是晶圆部分,在传统封装中,当电流从漏极流到源极时,因导热电阻产生的热量将主要通过MOSFET下层的金属片和PCB板的接触散热。但由于Pin脚面积小,因此热阻较大。同时,在垂直方向上,虽然通过塑料封装也能向外散热,但因为在该路径上塑料的存在,使得其热阻同样很大。

在DualCool 封装中,因为上表面额外设置的金属片的存在,可将封装顶部热阻从10 ~ 15℃/W降至1.2℃/W。因此产生的热量既可以通过下表面传达到板上去,也可以通过上表面的源极的金属片传递到热阻很小的额外的这块金属片上,再通过接触传递到Heat Sink上去。这使得相对于传统的MOSFET管,DualCool NexFET功率 MOSFET允许额外80%的功率耗散,并能够将通过 FET 的电流提高 50%。这令设计人员无需增加终端设备尺寸,即可高度灵活地使用需要更高电流驱动的处理器。

该系列包含5 款 NexFET 器件,支持计算机与电信系统设计人员使用具有扩充内存及更高电流的处理器,可广泛用于各种终端应用,其中包括台式个人计算机、服务器、电信或网络设备、基站以及高电流工业系统等。

TI 高级副总裁兼电源管理全球经理 Steve Anderson 指出:“我们的客户需要具有更小体积和更高电流的 DC/DC 电源,以满足各种基础设施市场对处理器功能提出的更高要求。DualCool NexFET 功率 MOSFET即可以不变的几何尺寸传输更多的电流,充分地满足这一需求。”



表1: N通道系列NexFET DC/DC 功率转换MOSFET



图1 传统封装与DualCool封装区别示意

 

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