- 1. MOS非理想性对VLSI电路可靠性的影响 2023-12-05
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在快速 VLSI 电路中，晶体管每秒开关数百万次。在开关过程中，被称为“热载流子”的高能载流子（电子或空穴）很容易注入并捕获在栅极氧化物中。这种热载流子注入会导致栅极氧化物中出现杂质，从而改变器件的 I-V 特性。 - 2. VLSI 设计中的线性 RC 延迟模型 2023-04-23
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众所周知，为了使晶体管更小，人们做了大量工作。然而，仍然需要对 VLSI 电路和模块进行相应的工作，以适应更小的设计。这些 VLSI 电路和模块可能很简单，只有几个逻辑门（包含两到四个晶体管），也可能是包含成千上万个晶体管的更大系统。相反，这些系统需要满足各种工作条件下的速度/延迟和功率要求。
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