- 1. 低功耗 GaN 在常见交流／直流电源拓扑中的优势 2024-01-17
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消费者希望日常携带的各种电子设备能够配备便携、快速和高效的充电器。随着大多数电子产品转向 USB Type-C® 充电器，越来越多的用户希望可以使用紧凑型电源适配器为所有设备充电。 - 2. 半大马士革集成中引入空气间隙结构面临的挑战 2023-12-18
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在随后的硅碳氮刻蚀工艺步骤中，为了与下层金属1钌相接，需要进行刻蚀工艺，使硅碳氮介电层产生较高的倾斜度。这可以减少对间隙闭合介电层的过度刻蚀，并在通孔刻蚀工艺中保持空气间隙闭合。图3左右的模拟结果分别展示了需要的二氧化硅与硅碳氮的刻蚀选择比，和理想的硅碳氮倾斜度。 - 3. 功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时栅极电阻选型注意事项 2023-09-21
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本文为大家介绍氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势，以及如何权衡利弊。主要权衡因素之一是开关损耗，开关损耗会被高di/dt和dv/dt放大，造成电路噪声。为了减少电路噪声，需要认真考虑栅极电阻的选择，从而不必延长死区时间而造成功率损耗。本文介绍选择栅极电阻时的考虑因素，如脉冲功率、脉冲时间和温度、稳定性、寄生电感等。同时，将和大家探讨不同类型的栅极电阻及其在该应用中的优缺点。 - 4. 总结肖特基势垒二极管对宽带隙材料的利用 2023-04-27
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由于碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽带隙材料具有优于硅 (Si) 的固有材料特性，因此工业界采用宽带隙材料来满足功率器件应用中的低功耗需求。这种需求导致了基于 SiC 和 GaN 的 SBD 的制造。 - 5. 针对高压应用优化宽带隙半导体器件 2023-04-12
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自从宽带隙材料被引入各种制造技术以来，通过使用MOSFET、晶闸管和 SCR等功率半导体器件就可以实现高效率。为了优化可控制造技术，可以使用特定的导通电阻来控制系统中的大部分功率器件。对于功率 MOSFET，导通电阻仍然是优化和掺杂其单元设计的关键参数。电导率的主要行业标准是材料技术中的特定导通电阻与击穿电压（R sp与 V BD ）。 - 6. 宽带隙半导体在航空航天和卫星方面的应用 2023-04-07
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宽带隙 (WBG) 半导体在电源转换方面具备几个优势，如功率密度和效率更高，同时可通过允许使用更小无源元器件的高频开关，减少系统尺寸和重量。这些优势在航空航天和卫星动力系统中可能更加重要，因为尺寸和重量在这些领域中更为关键。本文探讨了碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等 WBG 元器件在这些应用中的相对优势。 - 7. 引入空气间隙以减少前道工序中的寄生电容 2023-03-24
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减少栅极金属和晶体管的源极/漏极接触之间的寄生电容可以减少器件的开关延迟。减少寄生电容的方法之一是设法降低栅极和源极/漏极之间材料层的有效介电常数，这可以通过在该位置的介电材料中引入空气间隙来实现。这种类型的方式过去已经用于后道工序 (BEOL) 中，以减少金属互连之间的电容 [1-4]。 - 8. 缩小数字示波器波形中的间隙 2023-03-07
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众所周知，数字示波器是采样数据仪器，不会采集输入信号的连续记录。我们从采样理论中得知，输入信号在信号带宽的两倍以上进行适当采样后，可以从采集的样本中恢复出来。那么，存储在采集存储器中的样本如何转换为连续信号呢？此外，对采样数据值进行的测量如何才能准确？，我们如何测量小于采样周期的时间间隔？这些问题的答案很简单，插值！ - 9. 宽带隙器件增强电机控制设计 2023-03-01
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电机控制在工业4.0的技术发展中扮演着重要的战略角色。工业发展的一个关键问题是能源使用。电力消耗正在显着增长，部分原因是工业电动机的电力需求。由于这些不断增长的需求，在电机控制领域寻找有效的解决方案成为开发商和组件制造商等的首要任务。 - 10. SiC FET神应用，在各种领域提高功率转换效率 2022-11-01
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宽带隙半导体是高效功率转换的助力。有多种器件可供人们选用，包括混合了硅和SiC技术的SiC FET。本文探讨了这种器件的特征，并将它与其他方法进行了对比。
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