- 1. 对先进DRAM工艺中有源区形状扭曲的研究 2021-08-31
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在DRAM结构中，电容存储单元的充放电过程直接受晶体管所控制。随着晶体管尺寸缩小接近物理极限，制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而对于先进的DRAM，晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。在本研究中，我们将为大家呈现，如何利用SEMulator3D研究先进DRAM工艺中存在的AA形状扭曲和与之相关的微负载效应与制造变量。 - 2. 微结构不均匀性（负载效应）及其对器件性能的影响：对先进DRAM工艺中有源区形状扭曲的研究 2021-08-26
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随着晶体管尺寸缩小接近物理极限，制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而对于先进的DRAM，晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。
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