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1. 高效精准表征低噪声放大器 2024-03-28
高效精准表征低噪声放大器很多应用场景都会用到低噪声放大器(LNA),包括无线通信、传感器网络、导航卫星和射电望远镜等。LNA在放大低功率信号的同时,也会影响系统信噪比 (SNR)。除了增益和线性度等常见放大器考虑因素之外,LNA 还必须具有低噪声系数性能,以保持信号质量和系统灵敏度。
2. 具过载保护功能的USB供电433.92MHz RF低噪声放大器接收器 2023-03-01
具过载保护功能的USB供电433.92MHz RF低噪声放大器接收器该电路中包含高速过载检测器和关断开关,用于保护连接至接收器系统的下游敏感设备。当RF功率水平下降到可接受范围内时,接收器系统也会自动恢复正常运行。RF输入和输出是标准的SMA连接器,整个设计由一个微型USB连接器供电。
3. 解密RF信号链—第2部分:基本构建模块 2021-12-27
解密RF信号链—第2部分:基本构建模块分立式和集成式组件是构成各个应用领域的RF信号链的基础功能性构建模块。在本系列文章的第一部分,我们讨论了用于表征系统的主要特性和性能指标。然而,为了达到期望的性能,RF系统工程师还必须对各类RF器件有充分的了解,RF器件的选择将决定最终应用中完整RF信号链的整体性能。
4. MGA-16516匹配对低噪声放大器的LNA设计解析 2021-08-16
MGA-16516匹配对低噪声放大器的LNA设计解析在军事和商业应用中,几乎所有的RF和微波接收器中都可以找到低噪声放大器。这些LNA是系统天线上输入信号放大的第一级。本应用笔记讨论了MGA-16516匹配对低噪声放大器的LNA设计。
5. 浅析Avago的MGA-64606 低噪声放大器 2021-06-07
浅析Avago的MGA-64606 低噪声放大器本应用笔记讨论了 Avago 的 MGA-64606 低噪声放大器,具有可切换的旁路和关断模式,适用于 1.9 GHz 和 2.1 GHz 应用。MGA-64606 是具有集成旁路和关断模式的 GaAs MMIC LNA(低噪声放大器)。它适用于1.5 GHz至3 GHz的应用。
6. 利用GaAs LNA和GaN PA进行无线设计应牢记的几大事项 2021-05-26
利用GaAs LNA和GaN PA进行无线设计应牢记的几大事项对性能、微型化和更高频率运行的推动正在挑战无线系统的两个关键天线连接元器件的限制:功率放大器(PA) 和低噪声放大器(LNA)。使5G 成为现实的努力,以及PA 和LNA 在VSAT 端子、微波无线电链路和相控阵雷达系统中的使用促成了这种转变。
7. 创新集成收发器简化2G至5G基站接收器设计 2021-05-06
创新集成收发器简化2G至5G基站接收器设计基站接收器设计是一项艰巨的任务。典型接收器组件包括混频器、低噪声放大器(LNA)和模数转换器(ADC)等,这些器件随着时间推移而不断改善。但是,架构的改变却不大。架构选择的局限性阻碍了基站设计人员向市场推出差异化产品的努力。最近的产品开发,特别是集成收发器,显著降低了最具挑战性的基站接收器设计的一些限制。此类收发器提供的新基站架构使得基站设计人员能够有更多选择和方法来实现产品差异化。
8. 基于AD603和AD8320芯片实现数字AGC的原理与设计 2020-08-12
基于AD603和AD8320芯片实现数字AGC的原理与设计在数字中频接收机中,把A/D转换提前到中频部分,为保证A/D转换的动态范围和系统带宽,要求低噪声放大器和自动增益控制AGC(Automatic Gain Control)电路能够提供大动态范围的自动增益控制。AGC系统由可变增益放大器和反馈回路组成。
9. 基于CMOS LNAs器件实现低噪声放大器电路的设计 2020-08-07
基于CMOS LNAs器件实现低噪声放大器电路的设计目前,在高达数GHz的RF频段范围内,广泛使用的是GaAs MESFET LNAs,其优点是能够在功率增益高达20 dB的同时,使噪声系数低至大约1 dB。但随着CMOS电路技术的成熟,近来对RF CMOS电路元件的研究成果越来越多,在无线通信系统上也已经实现了SoC化。如果CMOS制造技术能克服噪声大,功率损耗大等缺点,凭借其低廉的价格,CMOS LNAs将有可能在数GHz的RF频段范围内,逐渐取代GaAs MESFET LNAs。
10. 基于Tsmc0.18μmCMOS工艺的全差分的共源共栅低噪声放大器设计 2020-01-03
基于Tsmc0.18μmCMOS工艺的全差分的共源共栅低噪声放大器设计随着半导体技术和无线通讯技术的发展,无线移动产品已得到广泛使用。作为无线信息接收的最前端部件,低噪声放大器具有其特殊的地位和作用,其性能尤其是噪声系数几乎决定了整个接收链路的噪声性能。本文着重从稳定性、噪声源、线性度、匹配网路关键点进行分析,并针对WCDMA接收机系统应用,设计了低噪声放大器,电路采用TSMC90nmCMOS工艺。芯片测试结果表明,该低噪声放大器,电压增益达到20 dB、噪声系数NF为1.4 dB、IIP3为-3.43
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