- 1. 近红外成像：最新3D传感技术可降低成本并简化硬件架构 2024-04-24
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由于近红外 (NIR) 波长的光具有宝贵的光学特性，近红外 (NIR) 成像长期以来一直应用于科学研究等专业领域。例如，研究实验室使用 NIR 光源和相机进行光谱测定。这种先进形式的近红外成像可以检测和测量材料的特定物理或化学特性。在医学诊断中，NIR 成像在实验室设备中用于分析样本。例如，从分析中获得的数据可以用于医疗状况的诊断。 - 2. 3D－IC 以及传热模型的重要性 2024-03-19
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传统的单裸片平面集成电路 (IC) 设计无法满足电子市场对高功率密度、高带宽和低功耗产品的要求。三维 (3D) 集成电路技术将多个芯片垂直堆叠，实现电气互连，具有更出众的优势。3D-IC 电路外形小巧，集成度更高、信号延迟更低，支持异构集成，这些先进的功能使之具有出色的电气性能。 - 3. 使用大面积分析提升半导体制造的良率 2024-03-04
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设计规则检查 (DRC) 技术用于芯片设计，可确保以较高的良率制造出所需器件。设计规则通常根据所使用设备和工艺技术的限制和变异性制定。DRC可确保设计符合制造要求，且不会导致芯片故障或DRC违规。常见的DRC规则包括最小宽度和间隔要求、偏差检查以及其他规格，以避免在制造过程中出现短路、断路、材料过量或其他器件故障。 - 4. 使用SEMulator3D进行虚拟工艺故障排除和研究 2024-01-29
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现代半导体工艺极其复杂，包含成百上千个互相影响的独立工艺步骤。在开发这些工艺步骤时，上游和下游的工艺模块之间常出现不可预期的障碍，造成开发周期延长和成本增加。本文中，我们将讨论如何使用 SEMulator3D®中的实验设计 (DOE) 功能来解决这一问题。 - 5. 为刻蚀终点探测进行原位测量 2024-01-12
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半导体行业一直专注于使用先进的刻蚀设备和技术来实现图形的微缩与先进技术的开发。随着半导体器件尺寸缩减、工艺复杂程度提升，制造工艺中刻蚀工艺波动的影响将变得明显。刻蚀终点探测用于确定刻蚀工艺是否完成、且没有剩余材料可供刻蚀。这类终点探测有助于最大限度地减少刻蚀速率波动的影响。 - 6. 利用先进的 3D 飞行时间传感器测量生产过程中的峰高和填充水平 2023-12-07
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人们普遍以为，技术的进步是一条直线，一目了然，半导体行业公布的未来五年或十年工艺技术和节点缩小“路线图”强化了这种观念，好像这一切都可以根据过去的发展轨迹轻易推算出来。 - 7. 如何在 3DICC 中基于虚拟原型实现多芯片架构探索 2023-11-30
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Chiplet多芯片系统将多个裸芯片集成在单个封装中，这对于系统架构的设计来说增加了新的维度和复杂性，多芯片系统的设计贯穿着系统级协同设计分析方法。 - 8. 3D PCB 设计中组件分区、板间互连与 EMI 挑战 2023-10-11
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单块 PCB 能够实现的功能太多了：尺寸微型化以及单个芯片上能容纳的晶体管数量不断增加，这些趋势都在挑战物理极限。这种挑战还延伸到了系统层面：电子系统设计的复杂性有增无减，因此多板 PCB 设计变得越来越有必要。 - 9. 大联大世平集团推出基于NXP产品的UWB 3D定位算法与上位机方案 2023-10-10
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随着现代汽车对于定位精度的要求越来越高，UWB超宽带技术受到车企的广泛关注。其中，最受欢迎的一种应用就是将UWB技术与车钥匙进行结合，从而实现更加安全和便捷的开门方式。为了加快厂商对UWB数字钥匙的开发，大联大世平基于NXP S32K144、NCJ29D5D与KW38评估板推出UWB 3D定位算法与上位机方案，该方案完全遵循3C协议设计，具有较强的防中继攻击能力，并且搭配的上位机能够与UWB BCM通信，实时显示数据与状态。 - 10. 要节能，为什么先要做好电子产品热设计？ 2023-09-28
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随着电子产品小型化、智能化、多样化的发展，给产品热设计带来了更严峻的挑战。一方面，随着边缘计算和人工智能的发展，让算力更为密集；另一方面，随着双碳目标迫近，对于功率等级要求也持续提高；因此单一设备的功率密度正在不断攀升，热功率也相应的随之提高，而热设计也就受到了越来越多的关注。
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